型        号：TRP450

生产厂家：中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（中国）

技术指标：极限真空度≤6.6E-6 Pa；

沉积源配备永磁靶3套，可以向上溅射或向下溅射；

样品台尺寸直径为4英寸，可放置一片，加热温度最高可达800℃；

工艺流程可全自动控制；

溅射膜厚度均匀性误差≤3%；

可提供射频和直流两种溅射方式。

用    途：可进行材料表面薄膜溅射沉积，不同类型的金属、合金以及氧化物能够进行混合并实践同时溅射在基材上，广泛应用于微电子、光学薄膜、表面工程等领域。

仪器照片：